Company Name: Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd
Tel: +86-592-5601404
Fax: +86-592-5745822
E-Mail: sic@powerwaywafer.com

Address: #3007-3008, No.89, Anling,Huli Developing Zone, Xiamen,China

6H N Type SiC

Model NO.:intanetcms000042
6H N Type SiC
FEATURE

SILICON CARBIDE MATERIAL PROPERTIES
 Polytype Single Crystal 4H Single Crystal 6H
Lattice Parameters  a=3.076 Å  a=3.073 Å 
c=10.053 Å  c=15.117 Å 
Stacking Sequence  ABCB  ABCACB 
Band-gap  3.26 eV  3.03 eV 
Density  3.21 · 103 kg/m3  3.21 · 103 kg/m3 
Therm. Expansion Coefficient  4-5×10-6/K  4-5×10-6/K 
Refraction Index  no = 2.719  no = 2.707 
ne = 2.777  ne = 2.755 
Dielectric Constant  9.6 9.66
Thermal Conductivity  490 W/mK 490 W/mK
Break-Down Electrical Field  2-4 · 108 V/m 2-4 · 108 V/m
Saturation Drift Velocity  2.0 · 105 m/s 2.0 · 105 m/s
Electron Mobility  800 cm2/V·S  400 cm2/V·S 
hole Mobility  115 cm2/V·S  90 cm2/V·S 
Mohs Hardness  ~9 ~9 
6H SIC, N-TYPE, 2″WAFER SPECIFICATION 
SUBSTRATE PROPERTY S6H-51-N-PWAM-250      S6H-51-N-PWAM-330                  S6H-51-N-PWAM-430
Description A/B Production Grade  C/D Research Grade  D Dummy Grade             6H SiC Substrate
Polytype  6H 
Diameter  (50.8 ± 0.38) mm 
Thickness  (250 ± 25) μm                  (330 ± 25) μm                  (430 ± 25) μm
Carrier Type  n-type 
Dopant  Nitrogen 
Resistivity (RT)  0.02 ~ 0.1 Ω·cm 
Surface Roughness  < 0.5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (C- face Optical polish)
FWHM  A<30 arcsec                   B/C/D <50 arcsec  
Micropipe Density  A+≤1cm-2  A≤10cm-2   B≤30cm-2  C≤50cm-2  D≤100cm-2
Surface Orientation 
On axis  <0001>± 0.5° 
Off axis  3.5° toward <11-20>± 0.5° 
Primary flat orientation  Parallel {1-100} ± 5° 
Primary flat length  16.00 ± 1.70 mm 
Secondary flat orientation  Si-face:90° cw. from orientation flat ± 5° 
C-face:90° ccw. from orientation flat ± 5° 
Secondary flat length  8.00 ± 1.70 mm 
Surface Finish Single or double face polished
Packaging  Single wafer box or multi wafer box
Usable area  ≥ 90 % 


RELATED ARTICLE